NAND Flash闪存从SLC、MLC、TLC进化到3D TLC、3D QLC等新技术，伴随而来的就是SSD固态硬盘的价格大幅下探，成为大多数人都能够使用的消费品。
目前，市面上采用QLC颗粒的SSD并不常见，但东芝在FMS上已经开始公开探讨PLC(5bit/cell)技术闪存的前景。但PLC的电压状态骤增到32种，为固态硬盘的主控提出更高的性能要求。
英特尔在介绍活动中透露，3D PLC闪存将仍旧坚守使用浮栅型结构(Floating Gate)，尽管当前3D闪存的主流结构是Charge Trap电荷捕获型。但英特尔认为浮栅型在读取干扰、数据保持期上更优秀。
路边社消息称，英特尔和美光之所以在固态硬盘上分手，原因是美光决定放弃浮栅转向电荷捕获，加入三星、东芝、SK海力士等大军。三星曾强调，电荷捕获相较浮栅技术，可以有效提升闪存的耐久度。
英特尔还表示将在2019年推出96层QLC存储产品，明年首秀业内首款144层QLC固态硬盘，用于数据中心。
